对比图
型号 BSZ120P03NS3G SI7619DN-T1-GE3 IRFHM9391TRPBF
描述 30V,-40A,P沟道功率MOSFETSI7619DN-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 24A, 30V, 8Pin PowerPAK 1212INFINEON IRFHM9391TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -30 V, 0.01 ohm, -20 V, -1.8 V 新
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
封装 TSDSON EP 1212-8 Power-33
引脚数 - - 8
耗散功率 - 3.5W (Ta), 27.8W (Tc) 33 W
输入电容(Ciss) - 1350pF @15V(Vds) 1543pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) - 3.5W (Ta), 27.8W (Tc) 2.6W (Ta)
漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V
针脚数 - - 8
漏源极电阻 - - 0.01 Ω
极性 - - P-Channel
阈值电压 - - 1.8 V
输入电容 - - 1543 pF
连续漏极电流(Ids) - - 11A
上升时间 - - 27 ns
下降时间 - - 60 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 TSDSON EP 1212-8 Power-33
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99