AO4484和FDS4470

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AO4484 FDS4470 FDS8447

描述 N沟道 40V 10AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4470  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 40 V, 0.006 ohm, 10 V, 3.9 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8447  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.8 A, 40 V, 0.009 ohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 1.7 W 2.5 W 2.5 mW

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 10A 12.5 A 12.8 A

上升时间 17.2 ns 12 ns -

输入电容(Ciss) 1950pF @20V(Vds) 2659pF @20V(Vds) 2600pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 1.7 W 1.2 W 1 W

下降时间 16.8 ns 29 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.7W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定电压(DC) - 40.0 V 40.0 V

额定电流 - 12.5 A 12.8 A

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.006 Ω 0.009 Ω

阈值电压 - 3.9 V 1.8 V

输入电容 - 2.66 nF 2.60 nF

栅电荷 - 45.0 nC 49.0 nC

漏源击穿电压 - -100 V 40.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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