IRF7807PBF和IRF7807TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7807PBF IRF7807TR IRF7807

描述 INFINEON  IRF7807PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 30 V, 25 mohm, 4.5 V, 1 VSOIC N-CH 30V 8.3ASOIC N-CH 30V 8.3A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

额定功率 2.5 W - -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.025 Ω - -

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

阈值电压 1 V - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 8.3A 8.30 A 8.30 A

上升时间 17 ns - 17 ns

下降时间 6 ns - 6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 2.5W (Tc) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V

额定电流 - 8.30 A 13.0 A

产品系列 - IRF7807 IRF7807

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active

包装方式 - Tape, Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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