DN2540N3-G和DN2540N8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DN2540N3-G DN2540N8 DN2540N3-G-P003

描述 MICROCHIP  DN2540N3-G  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 400 V, 17 ohm, 0 VTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4Pin(3+Tab) SOT-89Trans MOSFET N-CH 400V 0.12A 3Pin TO-92 T/R

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Supertex (超科) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 4 3

封装 TO-226-3 SOT-89 TO-226-3

额定功率 1 W - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 17 Ω 25.0 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 1 W 1.60 W 1W (Tc)

漏源极电压(Vds) 400 V - 400 V

连续漏极电流(Ids) 0.12A 170 mA -

上升时间 15 ns - -

输入电容(Ciss) 200pF @25V(Vds) - 300pF @25V(Vds)

下降时间 20 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1W (Tc) - 1W (Tc)

额定功率(Max) - - 1 W

漏源击穿电压 - 400 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

长度 5.2 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - -

封装 TO-226-3 SOT-89 TO-226-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Bag Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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