对比图
型号 BD179 BD179G
描述 功率晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS NPN SILICONON SEMICONDUCTOR BD179G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 3 hFE
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-126-3 TO-126-3
频率 - 3 MHz
额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V
额定电流 3.00 A 3.00 A
针脚数 - 3
极性 NPN NPN
耗散功率 - 30 W
增益频宽积 - 3 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V
集电极最大允许电流 3A 3A
最小电流放大倍数(hFE) 63 @150mA, 2V 63 @150mA, 2V
额定功率(Max) 30 W 30 W
直流电流增益(hFE) - 3
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 30000 mW
最大电流放大倍数(hFE) 160 -
长度 - 7.74 mm
宽度 - 2.66 mm
高度 - 11.04 mm
封装 TO-126-3 TO-126-3
材质 - Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Bulk Bulk
最小包装 500 -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99