对比图
型号 JANSF2N7382 JANSR2N7382 IRHY9130CM
描述 Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA,Trans MOSFET P-CH 100V 11A 3Pin(3+Tab) TO-257AATO-257AA P-CH 100V 11A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
安装方式 - Through Hole -
引脚数 - 3 3
封装 - TO-257 TO-257
耗散功率 - 75 W -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 75000 mW 75000 mW
极性 - - P-CH
漏源极电压(Vds) - - 100 V
连续漏极电流(Ids) - - 11A
输入电容(Ciss) - - 1200pF @25V(Vds)
封装 - TO-257 TO-257
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant