2N6517TA和MPSA43G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6517TA MPSA43G 2N6517CTA

描述 ON Semiconductor 2N6517TA , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=350 V, HFE:15, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 200V NPNON Semiconductor 2N6517CTA , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=400 V, HFE:15, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

频率 200 MHz - 200 MHz

针脚数 3 - -

耗散功率 625 mW 625 mW 0.625 W

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 200 V 350 V

最小电流放大倍数(hFE) 20 @50mA, 10V 25 @1mA, 10V 20 @50mA, 10V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) 20 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

工作结温 - - -55℃ ~ 150℃

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 500 mA -

极性 - NPN -

集电极最大允许电流 - 0.5A -

长度 4.58 mm 5.2 mm 4.58 mm

宽度 3.86 mm 4.19 mm 3.86 mm

高度 4.58 mm 5.33 mm 4.58 mm

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Box -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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