对比图
型号 M48Z128Y-85PM1 DS1245Y-85+ BQ4013MA-85
描述 5.0 V或3.3 V ， 1兆位（ 128千位×8 ） ZEROPOWER ？ SRAM 5.0 V or 3.3 V, 1 Mbit (128 Kbit x 8) ZEROPOWER? SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245Y-85+ 芯片, 存储器, NVRAM128的K× 8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 128 k X 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Maxim Integrated (美信) TI (德州仪器)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 32 32 32
封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32
电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V
针脚数 - 32 -
时钟频率 85.0 GHz 85.0 GHz -
存取时间 85.0 ns 85 ns 85 ns
内存容量 1000000 B 125000 B 125000 B
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.5V
电源电压(Max) - 5.5 V 5.5 V
电源电压(Min) - 4.5 V 4.75 V
存取时间(Max) 85 ns - 85 ns
供电电流 - - 50 mA
封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32
长度 - - 42.8 mm
宽度 - - 18.42 mm
高度 - - 9.4 mm
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube Each Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
ECCN代码 EAR99 - EAR99