MJW21193G和MJW21195G

对比图

型号 MJW21193G MJW21195G MJW21193

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJW21193G  单晶体管 双极, 音频, PNP, -250 V, 4 MHz, 200 W, -30 A, 20 hFEON SEMICONDUCTOR  MJW21195G  单晶体管 双极, 音频, PNP, -250 V, 4 MHz, 200 W, -16 A, 20 hFE硅功率晶体管 Silicon Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) -250 V -250 V -250 V

额定电流 -16.0 A -16.0 A -16.0 A

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V 250 V

集电极最大允许电流 16A 16A 16A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @8A, 5V 20 @8A, 5V 20 @8A, 5V

额定功率(Max) 200 W 200 W 200 W

频率 4 MHz 4 MHz -

针脚数 3 3 -

耗散功率 200 W 200 W -

最大电流放大倍数(hFE) 80 80 -

直流电流增益(hFE) 20 20 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 200000 mW 200000 mW -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 16.26 mm 16.26 mm -

宽度 5.3 mm 5.3 mm -

高度 21.08 mm 21.08 mm -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99