对比图
描述 PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF TransistorsNXP BC859CW,115 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 420 hFE
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 SOT-323 SOT-323-3
频率 - 100 MHz
针脚数 - 3
极性 - PNP
耗散功率 - 200 mW
击穿电压(集电极-发射极) - 30 V
集电极最大允许电流 - 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) - 420 @2mA, 5V
额定功率(Max) - 200 mW
直流电流增益(hFE) - 420
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 200 mW
增益频宽积 - -
长度 - 2.2 mm
宽度 - 1.35 mm
高度 - 1 mm
封装 SOT-323 SOT-323-3
工作温度 - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17