对比图
型号 JANTXV2N3767 SDT5906 2N3766
描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN 40V 0.5APower Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, TO-66, 2 PIN
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Solitron Devices Advanced Semiconductor
分类 双极性晶体管
安装方式 Through Hole - -
引脚数 3 - -
封装 TO-66 - TO-66
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 40 V -
最小电流放大倍数(hFE) 40 @500mA, 5V - -
额定功率(Max) 25 W - -
工作温度(Max) 200 ℃ - -
工作温度(Min) -65 ℃ - -
耗散功率(Max) 25000 mW - -
极性 - NPN -
集电极最大允许电流 - 0.5A -
封装 TO-66 - TO-66
材质 Silicon - -
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray - -
RoHS标准 Non-Compliant - -
含铅标准 - -