IRF4104PBF和STP95N4F3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF4104PBF STP95N4F3 STP200NF04

描述 Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeSTMICROELECTRONICS  STP95N4F3  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 0.0054 ohm, 10 V, 2 VN 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.0054 Ω 0.0033 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 140 W 110 W 310 W

阈值电压 - 2 V 4 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

漏源击穿电压 40.0 V 40 V 40.0 V

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 80A 120 A

上升时间 130 ns 50 ns 320 ns

输入电容(Ciss) 3000pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 140 W 110 W 310 W

下降时间 - 15 ns 120 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 140W (Tc) 110W (Tc) 310W (Tc)

额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V

额定电流 75.0 A - 120 A

产品系列 IRF4104 - -

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm 4.6 mm

高度 - 15.75 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台