对比图
型号 FDG316P NTJS3151PT1G FDG312P
描述 PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。12V,-3.3A,功率MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG312P 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.2 A, -20 V, 0.135 ohm, -4.5 V, 900 mV
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
额定电压(DC) 30.0 V -12.0 V -20.0 V
额定电流 1.60 A -3.30 A -1.20 A
通道数 1 - -
针脚数 6 6 6
漏源极电阻 190 mΩ 0.133 Ω 0.135 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 750 mW 0.625 W 750 mW
输入电容 165 pF 850 pF 330 pF
栅电荷 3.50 nC - 3.30 nC
漏源极电压(Vds) 30 V 12 V 20 V
漏源击穿电压 30 V - -200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±12.0 V ±8.00 V
连续漏极电流(Ids) 1.60 A 3.30 A 1.20 A
上升时间 9 ns 1.5 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 165pF @15V(Vds) 850pF @12V(Vds) 330pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 480 mW 625 mW 480 mW
下降时间 2 ns 3.9 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 750mW (Ta) 625 mW 750mW (Ta)
阈值电压 - - 900 mV
长度 2 mm 2.2 mm 2 mm
宽度 1.25 mm 1.35 mm 1.25 mm
高度 1 mm 1 mm 1 mm
封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99