FDP8441和FDP8441_F085

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDP8441 FDP8441_F085

描述 N沟道PowerTrench MOSFET的( 40V , 80A , 2.7mohm ) N-Channel PowerTrench MOSFET (40V, 80A, 2.7mohm)MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 40.0 V -

额定电流 80.0 A -

漏源极电阻 0.0047 Ω -

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 300 W 300W (Tc)

阈值电压 2.8 V -

输入电容 15.0 nF -

栅电荷 280 nC -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

漏源击穿电压 40.0 V -

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 23A

上升时间 24.0 ns -

输入电容(Ciss) 15000pF @25V(Vds) 15000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W -

工作温度(Max) 175 ℃ -

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc)

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99

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