对比图
型号 FDD24AN06LA0 FDD24AN06LA0_F085
描述 N沟道逻辑电平功率沟槽MOSFET N CHANNEL LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFETPowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 75W (Tc) 75 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 36.0 A 7.1A
输入电容(Ciss) 1850pF @25V(Vds) 1850pF @25V(Vds)
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 75W (Tc) 75W (Tc)
额定电压(DC) 60.0 V -
额定电流 36.0 A -
漏源极电阻 91.0 mΩ -
输入电容 1.85 nF -
栅电荷 16.0 nC -
漏源击穿电压 60.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V -
上升时间 118 ns -
额定功率(Max) 75 W -
下降时间 - -
长度 - 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm
高度 - 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 -