对比图
型号 IXFX25N90 IXFX26N90 STE26NA90
描述 PLUS N-CH 900V 25AN沟道 900V 26AN - CHANNEL 900V - 0.25ohm- 26A - ISOTOP快速功率MOSFET N - CHANNEL 900V - 0.25ohm- 26A - ISOTOP FAST POWER MOSFET
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Screw
封装 TO-247-3 TO-247-3 ISOTOP
引脚数 - 3 -
通道数 1 1 -
漏源极电阻 330 mΩ 300 mΩ -
极性 N-CH - -
耗散功率 560 W 560 W 450W (Tc)
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V
漏源击穿电压 900 V 900 V -
连续漏极电流(Ids) 25A - 26.0 A
上升时间 35 ns 35 ns 52.0 ns
输入电容(Ciss) 10800pF @25V(Vds) 10800pF @25V(Vds) 1770pF @25V(Vds)
下降时间 24 ns 24 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -
耗散功率(Max) 560W (Tc) 560W (Tc) 450W (Tc)
额定电压(DC) - - 900 V
额定电流 - - 26.0 A
长度 16.13 mm 16.13 mm -
宽度 5.21 mm 5.21 mm -
高度 21.34 mm 21.34 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 ISOTOP
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead