MBD110DWT1和MBD330DWT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MBD110DWT1 MBD330DWT1G MBD110DWT1G

描述 双肖特基势垒二极管 Dual Schottky Barrier DiodesON SEMICONDUCTOR  MBD330DWT1G  小信号二极管双肖特基势垒二极管 Dual Schottky Barrier Diodes

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 二极管肖特基二极管RF二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-363 SC-70-6 TSSOP-6

引脚数 - 6 -

封装 SOT-363 SC-70-6 TSSOP-6

长度 - 2.2 mm 2 mm

宽度 - 1.35 mm 1.25 mm

高度 - 1 mm 0.9 mm

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

额定电压(DC) - 30.0 V 7.00 V

额定电流 - 1.00 A 90.0 mA

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 6 -

正向电压 - 0.38 V -

耗散功率 - 120 mW 120 mW

正向电流 - 10 mA -

正向电压(Max) - 450 mV -

正向电流(Max) - 200 mA -

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 120 mW 120 mW

工作温度 - -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 -

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