IRLR120ATF和IRLR120NTRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR120ATF IRLR120NTRLPBF IRLR120NTRPBF

描述 N沟道 100V 8.4A单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3INFINEON  IRLR120NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.185 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电流 - 11.0 A -

额定功率 - 39 W 39 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 0.22 Ω 185 mΩ 0.185 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 35 W 48 W 39 W

阈值电压 2 V 2 V 2 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 8.40 A 10A 10A

上升时间 - 35 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 440pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds)

下降时间 - 22 ns 22 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 35W (Tc) 48W (Tc) 48W (Tc)

漏源击穿电压 100 V - 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

额定功率(Max) 2.5 W - 48 W

输入电容 - - 440 pF

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.39 mm

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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