IRF2804STRLPBF和STB200NF04T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF2804STRLPBF STB200NF04T4

描述 Trans MOSFET N-CH 40V 280A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RN 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 7 3

封装 TO-252-3 TO-263-3

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 310000 mW

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 160 A 120 A

输入电容(Ciss) 6450pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 310 W

额定电压(DC) - 40.0 V

额定电流 - 120 A

漏源极电阻 - 3.70 mΩ

漏源击穿电压 - 40.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V

上升时间 - 320 ns

下降时间 - 120 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 310000 mW

封装 TO-252-3 TO-263-3

长度 - 10.4 mm

宽度 - 9.35 mm

高度 - 4.6 mm

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

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