对比图
型号 2N5671 JANTXV2N5671 JAN2N5671
描述 NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTORNPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTORNPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-3 TO-3 TO-204
极性 - - NPN
击穿电压(集电极-发射极) - - 90 V
集电极最大允许电流 - - 30A
最小电流放大倍数(hFE) - - 20 @15A, 2V
额定功率(Max) - - 6 W
工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 6000 mW - 6000 mW
封装 TO-3 TO-3 TO-204
材质 Silicon - Silicon
工作温度 - - -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray - Tray
RoHS标准 RoHS Compliant - Non-Compliant
含铅标准 - - Contains Lead