对比图
型号 RQ6E035TNTR RTQ035N03TR
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 30 V, 0.038 ohm, 4.5 V, 1.5 VN 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM
数据手册 --
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管
封装 SOT-457 TSOT-23-6
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 6
针脚数 6 6
漏源极电阻 0.038 Ω 0.038 Ω
耗散功率 1.25 W 1.25 W
阈值电压 1.5 V 1.5 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
额定电压(DC) - 30.0 V
额定电流 - 3.50 A
极性 - N-Channel
漏源击穿电压 - 30.0 V
连续漏极电流(Ids) - 3.50 A
上升时间 - 12 ns
输入电容(Ciss) - 285pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - 1.25 W
下降时间 - 13 ns
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 1.25W (Ta)
封装 SOT-457 TSOT-23-6
长度 - 2.9 mm
宽度 - 1.6 mm
高度 - 0.9 mm
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead free Lead Free
材质 - Silicon
工作温度 - 150℃ (TJ)