BCP56-10T3G和BCP56-16T3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP56-10T3G BCP56-16T3G BCP56-16T1G

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT223 GP XSTR NPON SEMICONDUCTOR  BCP56-16T3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新ON SEMICONDUCTOR  BCP56-16T1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 3

封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-223

频率 130 MHz 130 MHz -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.5 W 1.5 W 1500 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 63 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V -

最大电流放大倍数(hFE) 250 - -

额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1500 mW 1.5 W -

额定电压(DC) - 80.0 V 80.0 V

额定电流 - 1.00 A 1.00 A

针脚数 - 4 -

直流电流增益(hFE) - 25 -

封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-223

长度 - 6.5 mm -

宽度 - 3.5 mm -

高度 - 1.63 mm -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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