DS1258W-100和DS1258Y-100

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1258W-100 DS1258Y-100 DS1258AB-100#

描述 IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP128K x 16 Nonvolatile SRAMIC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Dallas Semiconductor (达拉斯半导体) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

引脚数 40 - -

封装 DIP-40 DIP DIP-40

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - -

时钟频率 100 GHz - -

存取时间 100 ns - 100 ns

内存容量 2000000 B - -

电源电压 3V ~ 3.6V - 4.75V ~ 5.25V

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压(Max) - - 5.25 V

电源电压(Min) - - 4.75 V

封装 DIP-40 DIP DIP-40

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅

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