对比图
型号 IXFH14N100Q2 STW13NK100Z APT10078BLLG
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH14N100Q2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 1 kV, 900 mohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STW13NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 1 kV, 700 mohm, 10 V, 3.75 VTO-247 N-CH 1000V 14A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) - 1.00 kV 1.00 kV
额定电流 - 13.0 A 14.0 A
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 500 W 350 W 403 W
输入电容 - - 2.52 nF
栅电荷 - - 95.0 nC
漏源极电压(Vds) 1 kV 1 kV 1000 V
连续漏极电流(Ids) 14.0 A 13.0 A 14.0 A
上升时间 10 ns 35 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 2700pF @25V(Vds) 6000pF @25V(Vds) 2525pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 350 W 403 W
下降时间 12 ns 45 ns 9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500W (Tc) 350W (Tc) 403W (Tc)
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.9 Ω 700 mΩ -
阈值电压 5 V 3.75 V -
漏源击穿电压 - 1000 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 16.26 mm 15.75 mm -
宽度 5.3 mm 5.15 mm -
高度 21.46 mm 20.15 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
重量 6.00 g - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/06/16 -
ECCN代码 - EAR99 -