BC640TA和BC640ZL1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC640TA BC640ZL1 2N930

描述 ON Semiconductor BC640TA , PNP 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:25, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装高电流晶体管 High Current TransistorsNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-206

耗散功率 1 W - 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 45 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 100 @10µA, 5V

额定功率(Max) 1 W 625 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1 W - 300 mW

额定电压(DC) - -80.0 V -

额定电流 - -500 mA -

极性 - PNP -

集电极最大允许电流 - 0.5A -

频率 100 MHz - -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 25 - -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-206

长度 4.58 mm - -

宽度 3.86 mm - -

高度 4.58 mm - -

材质 Silicon - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Box Tape Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - -

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