对比图
型号 FDS6570A SI4876DY-T1-E3
描述 单N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETMOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDS(ON) 0.0037Ω; ID 14A; SO-8; PD 1.6W; VGS +/-12V; -55
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SO-8
额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V
漏源极电阻 0.0075 Ω 0.0075 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 1.6 W
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
漏源击穿电压 20.0 V 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V ±12.0 V
连续漏极电流(Ids) 15.0 A 21.0 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 1.6W (Ta)
针脚数 - -
阈值电压 900 mV -
上升时间 27.0 ns -
输入电容(Ciss) 4700pF @10V(Vds) -
额定功率(Max) 1 W -
下降时间 - -
额定电流 15.0 A -
输入电容 4.70 nF -
栅电荷 47.0 nC -
长度 - 5 mm
高度 - 1.55 mm
封装 SOIC-8 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 -