BSS123和MMBF170

对比图

型号 BSS123 MMBF170 BSS123 L6327

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS123  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF170  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 VINFINEON  BSS123 L6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 3 ohm, 10 V, 1.4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 100 V 60.0 V 100 V

额定电流 170 mA 500 mA 170 mA

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 1.2 Ω 5 Ω 3 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 360 mW 300 mW 360 mW

阈值电压 1.7 V 2.1 V 1.4 V

输入电容 73.0 pF 40.0 pF 1.20 nF

漏源极电压(Vds) 100 V 60 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 60.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 170 mA 500 mA 11.6 A

输入电容(Ciss) 73pF @25V(Vds) 40pF @10V(Vds) 69pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 360 mW 300 mW 360 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.36 W 300mW (Ta) 360 mW

栅电荷 2.50 nC - 49.0 nC

上升时间 9 ns - 3.1 ns

下降时间 2.4 ns - 25 ns

额定功率 250 mW - -

长度 2.92 mm 2.92 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.93 mm 0.93 mm 1.1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -