FP30R06W1E3和FP30R06YE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FP30R06W1E3 FP30R06YE3 FP30R06W1E3BOMA1

描述 INFINEON  FP30R06W1E3  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 30 A, 1.55 V, 115 W, 600 V, ModuleIGBT 模块 N-CH 600V 37A晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 37 A, 1.55 V, 115 W, 600 V, Module

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw -

封装 EASY1B-1 EASY-2 AG-EASY1B-1

引脚数 23 - 20

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率 115 W - 115 W

击穿电压(集电极-发射极) - - 600 V

输入电容(Cies) - - 1.65nF @25V

额定功率(Max) - - 115 W

耗散功率(Max) 115000 mW - 115000 mW

针脚数 23 - -

极性 N-Channel - -

长度 62.8 mm 55.9 mm -

宽度 33.8 mm 45.6 mm -

高度 12 mm 17 mm -

封装 EASY1B-1 EASY-2 AG-EASY1B-1

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tray Bulk Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ - -40℃ ~ 150℃

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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