BSO033N03MS G和FDS8812NZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO033N03MS G FDS8812NZ IRF7831PBF

描述 INFINEON  BSO033N03MS G  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 30 V, 0.0028 ohm, 10 V, 1 VN沟道PowerTrench MOSFET的30V , 20A , 4.0mohm N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 20A, 4.0mohmTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8Pin SOIC Tube

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 P-DSO SO-8 SOIC-8

漏源极电阻 0.0028 Ω 4.00 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.56 W 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30.0 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) - 20.0 A 21.0 A

输入电容(Ciss) 9600pF @15V(Vds) 6925pF @15V(Vds) 6240pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.56 W 1 W 2.5 W

耗散功率(Max) 2500 mW 2.5W (Ta) -

通道数 1 - -

针脚数 8 - -

阈值电压 1 V - -

上升时间 12.8 ns - 10.0 ns

下降时间 14 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 21.0 A

产品系列 - - IRF7831

封装 P-DSO SO-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.9 mm - -

高度 1.75 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -

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