APT6029BLLG和SPW16N50C3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT6029BLLG SPW16N50C3 IXFH26N60Q

描述 功率MOS 7 MOSFETc POWER MOS 7 MOSFETcInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH26N60Q  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26 A, 600 V, 250 mohm, 10 V, 4.5 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 600 V 560 V 600 V

额定电流 21.0 A 16.0 A 26.0 A

额定功率 - - 360 W

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.25 Ω 0.25 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 160 W 360 W

阈值电压 - 3 V 4.5 V

漏源极电压(Vds) 600 V 560 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 21.0 A 16.0 A 26.0 A

上升时间 - 8 ns 32 ns

输入电容(Ciss) - 1600pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 160 W 360 W

下降时间 - 8 ns 16 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) - - 150 ℃

耗散功率(Max) - 160W (Tc) 360W (Tc)

输入电容 2.61 nF - -

栅电荷 65.0 nC - -

宽度 - 5.21 mm 5.3 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 16.13 mm -

高度 - 21.1 mm -

材质 - - Silicon

重量 - - 6 g

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 -

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