FDS7788和FDS7788_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS7788 FDS7788_NL FDS8870

描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET30V N-Channel PowerTrench MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8870  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 4.2 mohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SO-8 SOIC SOIC-8

引脚数 8 - 8

极性 N-Channel N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 18.0 A 18A 18.0 A

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 18.0 A

针脚数 - - 8

漏源极电阻 3 mΩ - 0.0042 Ω

耗散功率 2.5 W - 2.5 W

阈值电压 - - 2.5 V

输入电容 - - 4.62 nF

栅电荷 - - 85.0 nC

漏源击穿电压 30 V - 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

上升时间 13 ns - 48 ns

输入电容(Ciss) 3845pF @15V(Vds) - 4615pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1 W - 2.5 W

下降时间 36 ns - 21 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)

通道数 1 - -

封装 SO-8 SOIC SOIC-8

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.9 mm - 4 mm

高度 1.75 mm - 1.5 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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