BAS21E6327HTSA1和BAS21E6433HTMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS21E6327HTSA1 BAS21E6433HTMA1 BAS21,215

描述 Infineon 二极管 BAS21E6327HTSA1 开关, Io=625mA, Vrev=200V, 50ns, 3引脚 SOT-23封装BAS21 系列 200 V 250 mA 表面贴装 硅 开关二极管 - SOT-23-3NXP  BAS21,215  二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 小信号二极管肖特基二极管小信号二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 250 mA -

输出电流 ≤250 mA ≤250 mA -

正向电压 1.25 V 1.25 V 1.25V @200mA

极性 Standard Standard -

耗散功率 350 mW 350 mW -

反向恢复时间 50 ns 50 ns 50 ns

正向电流 250 mA 250 mA 200 mA

正向电压(Max) 1 V 1.25 V 1.25 V

正向电流(Max) 250 mA 250 mA 200 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

工作结温 150℃ (Max) 150℃ (Max) 150℃ (Max)

耗散功率(Max) 350 mW 350 mW 250 mW

针脚数 3 - 3

热阻 - - 500℃/W (RθJA)

最大正向浪涌电流(Ifsm) 1 A - 9 A

电容 5.00 pF - -

额定功率 350 mW - -

击穿电压 250 V - -

负载电流 0.25 A - -

长度 2.9 mm 2.9 mm 3 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.4 mm

高度 1 mm 1 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete End of Life Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

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