IDT6116LA70TDB和IDT6116SA70DB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT6116LA70TDB IDT6116SA70DB 6116LA70TDB

描述 CMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)CMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)Standard SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, CDIP24, 0.3INCH, CERAMIC, DIP-24

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 DIP DIP DIP

安装方式 - - Through Hole

引脚数 - - 24

封装 DIP DIP DIP

长度 - - 32.004 mm

宽度 - - 7.62 mm

厚度 - - 3.56 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 3A001 3A001 -

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