MTB23P06V和NTB25P06T4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MTB23P06V NTB25P06T4G NTB25P06T4

描述 D2PAK P-CH 60V 23AP 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor功率MOSFET -60 V, -27.5 A, P沟道D2PAK Power MOSFET −60 V, −27.5 A, P−Channel D2PAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - -60.0 V -60.0 V

额定电流 - -25.0 A -25.0 A

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.07 Ω 65 mΩ

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 - 120 W 120 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60.0 V

栅源击穿电压 - ±15.0 V ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) 23A 27.5 A 25.0 A

上升时间 98.3 ns 72 ns 72 ns

输入电容(Ciss) 1160pF @25V(Vds) 1680pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 120 W -

下降时间 62 ns 190 ns 190 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 90000 mW 120 W 120000 mW

漏源击穿电压 - - 60 V

长度 - 10.29 mm 10.29 mm

宽度 - 9.65 mm 9.65 mm

高度 - 4.83 mm 4.83 mm

封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Rail Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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