对比图
描述 高压达林顿晶体管（ NPN硅） High Voltage Darlington Transistors(NPN Silicon)高压达林顿晶体管 High Voltage Darlington TransistorsON SEMICONDUCTOR BC373RL1G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 625 mW, 1 A, 10 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3
引脚数 - - 3
额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V
额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A
极性 NPN NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 1A 1A 1A
最小电流放大倍数(hFE) 10000 @100mA, 5V 10000 @100mA, 5V 10000 @100mA, 5V
额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW
针脚数 - - 3
耗散功率 - - 625 mW
直流电流增益(hFE) - - 10
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
增益带宽 - - 200 MHz
耗散功率(Max) - - 1500 mW
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Bulk Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99