对比图
型号 HUF75639P3 IRF3710PBF IRF3710ZPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75639P3.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 100 V, 21 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRF3710PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 VINTERNATIONAL RECTIFIER IRF3710ZPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 59A, TO-220AB 新
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V - 100 V
额定电流 56.0 A - 59.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.025 Ω 0.023 Ω 18 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 200 W 200 W 160 W
产品系列 - - IRF3710Z
阈值电压 4 V 4 V 4 V
输入电容 2.00 nF 3130 pF 2900pF @25V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 56.0 A 57A 59.0 A
上升时间 60 ns 58 ns 77.0 ns
输入电容(Ciss) 2000pF @25V(Vds) 3130pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 200 W 200 W 160 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定功率 200 W 200 W -
通道数 1 1 -
栅电荷 57.0 nC - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
下降时间 25 ns 47 ns -
耗散功率(Max) 200000 mW 200W (Tc) -
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm
高度 9.4 mm 8.77 mm 9.02 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
宽度 4.83 mm 4.69 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -