对比图
型号 BSP297L6327 FQD4N20LTM PHD9NQ20T,118
描述 Mosfet n-Ch 200V 660mA Sot-223 - Bsp297 L6327Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RDPAK N-CH 200V 8.7A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-261 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 3 - -
额定电压(DC) 200 V 200 V -
额定电流 660 mA 3.20 A -
漏源极电阻 - 1.35 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 1.50 W 2.5W (Ta), 30W (Tc) 88 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 - 200 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 200 mA 3.20 A 8.7A
输入电容(Ciss) 357pF @25V(Vds) 310pF @25V(Vds) 959pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 30W (Tc) 88W (Tc)
通道数 - - 1
上升时间 - - 19 ns
额定功率(Max) 1.8 W - 88 W
下降时间 - - 15 ns
输入电容 45.0 pF - -
栅电荷 1.50 nC - -
封装 TO-261 TO-252-3 TO-252-3
宽度 - - 6.22 mm
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -