UCC27322D和UCC27322DR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UCC27322D UCC27322DR IXDN409SI

描述 TEXAS INSTRUMENTS  UCC27322D  驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 9A输出, 35ns延迟, SOIC-8单9A高速低侧MOSFET驱动器与启用 SINGLE 9-A HIGH SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVER WITH ENABLEMOSFET DRVR 9A 1Out Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) IXYS Semiconductor

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 20 ns 20 ns 10 ns

上升时间 70 ns 70 ns 15 ns

下降时间 30 ns 30 ns 15 ns

电源电压 4V ~ 15V 4V ~ 15V 4.5V ~ 35V

电源电压(DC) 4.00V (min) 4.00V (min) -

输出接口数 1 1 -

耗散功率 650 mW 0.65 W -

下降时间(Max) 30 ns 30 ns -

上升时间(Max) 70 ns 70 ns -

工作温度(Max) 105 ℃ 105 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 650 mW 650 mW -

电源电压(Max) 15 V 15 V -

电源电压(Min) 4 V 4 V -

输出电压 150 mV - -

输出电流 9.00 A - -

针脚数 8 - -

输出电压(Max) 300 mV - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.91 mm - -

高度 1.58 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 105℃ (TA) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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