KSH2955TF和MJD2955T4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH2955TF MJD2955T4G NJVMJD2955T4G

描述 PNP 1.75 W 60 V 10 A 表面贴装 外延硅 晶体管 - TO-252-3ON SEMICONDUCTOR  MJD2955T4G  Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -60 V, 2 MHz, 1.75 W, -10 A, 5 hFE 新互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 2 MHz 2 MHz 2 MHz

极性 - N-Channel, P-Channel PNP

耗散功率 1.75 W 1.75 W 1.75 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 - 10A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 1750 mW

额定电压(DC) - -60.0 V -

额定电流 - -10.0 A -

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 5 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台