对比图
型号 IXGH32N60C IXYH40N120C3 STGW35HF60WD
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3Pin(3+Tab) TO-247ADIGBT 分立元件，IXYS XPT 系列IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 60.0 A - -
额定功率 200 W - -
耗散功率 200000 mW - 200 W
上升时间 20.0 ns - -
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 1200 V 600 V
额定功率(Max) 200 W 577 W 200 W
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200000 mW 577 W 200 W
针脚数 - - 3
反向恢复时间 - - 50 ns
高度 21.46 mm 21.46 mm 24.45 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 16.26 mm 15.75 mm
宽度 - 5.3 mm 5.15 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Bulk Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99