FDS9958和SI4948BEY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS9958 SI4948BEY-T1-GE3 SI4943BDY-T1-E3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9958  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.9 A, -60 V, 0.082 ohm, -10 V, -1.6 V双 P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor双P通道20 - V(D -S)的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

通道数 2 - -

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.082 Ω 0.1 Ω 19 mΩ

极性 Dual P-Channel P-Channel Dual P-Channel

耗散功率 2 W 1.4 W 2 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 20 V

漏源击穿电压 60 V - -

连续漏极电流(Ids) -2.90 A -2.40 A -8.40 A

上升时间 3 ns 15 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 1020pF @30V(Vds) - -

额定功率(Max) 900 mW - 1.1 W

下降时间 6 ns 35 ns 60 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W 2.4 W 2000 mW

反向恢复时间 - - 55 ns

正向电压(Max) - - 1.2 V

工作结温 - - -55℃ ~ 150℃

阈值电压 - 3 V -

长度 4.9 mm 5 mm -

宽度 3.9 mm 4 mm -

高度 1.575 mm 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2500 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

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