对比图
型号 IPD160N04LGBTMA1 IPD170N04NGBTMA1 IPD088N06N3GBTMA1
描述 DPAK N-CH 40V 30ADPAK N-CH 40V 30AINFINEON IPD088N06N3GBTMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 - - 71 W
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.0071 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 31W (Tc) 31W (Tc) 71 W
阈值电压 - - 3 V
输入电容 - - 2900 pF
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 30A 30A 50A
上升时间 1.8 ns 1 ns 40 ns
输入电容(Ciss) 1200pF @20V(Vds) 880pF @20V(Vds) 2900pF @30V(Vds)
下降时间 2.4 ns 2.2 ns 5 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 31W (Tc) 31W (Tc) 71000 mW
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.41 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -