对比图
型号 APT10021JLL IXFN38N100P APT10021JFLL
描述 SOT-227 N-CH 1000V 37AIXFN 系列 单 N 沟道 1000 Vds 210 mOhm 1000 W 功率 Mosfet - SOT-227BSOT-227 N-CH 1000V 37A
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
安装方式 Screw - Screw
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 210 mΩ -
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 694 W 1 kW 694 W
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V
漏源击穿电压 - 1000 V -
连续漏极电流(Ids) 37.0 A 38A 37.0 A
上升时间 22 ns 55 ns 22 ns
输入电容(Ciss) 9750pF @25V(Vds) 24000pF @25V(Vds) 9750pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 1000 W -
下降时间 20 ns 40 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 694W (Tc) 1000W (Tc) 694W (Tc)
额定电压(DC) 1.00 kV - 1.00 kV
额定电流 37.0 A - 37.0 A
输入电容 9.75 nF - 9.75 nF
栅电荷 395 nC - 395 nC
长度 - 38.23 mm -
宽度 - 25.42 mm -
高度 - 9.6 mm -
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free