对比图
型号 STP260N6F6 IPP023NE7N3 G IRFB3206GPBF
描述 STMICROELECTRONICS STP260N6F6 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0024 ohm, 10 V, 2 VINFINEON IPP023NE7N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3.1 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.0024 Ω 0.0021 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 300 W 300 W
阈值电压 2 V 3.1 V -
漏源极电压(Vds) 60 V 75 V 60 V
上升时间 165 ns 26 ns 82 ns
输入电容(Ciss) 11400pF @25V(Vds) 14400pF @37.5V(Vds) 6540pF @50V(Vds)
下降时间 62.6 ns 22 ns 83 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
通道数 1 - -
连续漏极电流(Ids) 120A - 210A
额定功率(Max) 300 W - 300 W
长度 10.4 mm 10 mm 10.67 mm
宽度 4.6 mm 4.4 mm 4.83 mm
高度 15.75 mm 15.65 mm 16.51 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -