STW60N65M5和STW62N65M5

对比图

型号 STW60N65M5 STW62N65M5 STW56NM60N

描述 N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道600 V ， 0.05 I© ， 45 A TO -247 MDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET N-channel 600 V, 0.05 Ω, 45 A TO-247 MDmesh™ II Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

通道数 - - 1

漏源极电阻 0.049 Ω 0.041 Ω 60 mΩ

耗散功率 255 W 330 W 300 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源击穿电压 - - 600 V

输入电容(Ciss) 6810pF @100V(Vds) 6420pF @100V(Vds) 4800pF @50V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 255W (Tc) 330W (Tc) 300W (Tc)

极性 N-Channel N-CH -

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V -

连续漏极电流(Ids) 46A 46A -

上升时间 11 ns 11 ns -

额定功率(Max) 255 W 330 W -

下降时间 16 ns 14 ns -

针脚数 - 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 15.75 mm 15.75 mm -

宽度 5.15 mm 5.15 mm -

高度 20.15 mm 20.15 mm -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -