FGP20N6S2D和HGTG20N60A4D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FGP20N6S2D HGTG20N60A4D STGP8NC60KD

描述 600V ,开关电源II系列N沟道IGBT与反并联二极管StealthTM 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode单晶体管, IGBT, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 引脚STGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3

针脚数 - 3 3

耗散功率 125 W 290 W 65 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 31 ns 35 ns 23.5 ns

额定功率(Max) 125 W 290 W 65 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 290000 mW 65000 mW

上升时间 4.50 ns 12 ns -

下降时间 - 32 ns -

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 28.0 A - -

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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