对比图
型号 BC859CMTF BC859CT/R BC859C,235
描述 PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon TransistorTrans GP BJT PNP 30V 0.1A Automotive 3Pin TO-236AB T/RTO-236AB PNP 30V 0.1A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3
极性 PNP - PNP
耗散功率 - - 250 mW
击穿电压(集电极-发射极) 30 V - 30 V
集电极最大允许电流 0.1A - 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V - 420 @2mA, 5V
额定功率(Max) 310 mW - 250 mW
耗散功率(Max) 310 mW - 250 mW
额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -
额定电流 -100 mA -100 mA -
封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3
工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape, Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -