DS1270AB-70和DS1270AB-70#

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1270AB-70 DS1270AB-70# BQ4017MC-70

描述 IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIPIC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP2048Kx8非易失SRAM 2048Kx8 Nonvolatile SRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) TI (德州仪器)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 36 36 36

封装 DIP-36 DIP-36 DIP-36

电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz

存取时间 70 ns 70 ns 70 ns

内存容量 16000000 B 16000000 B 2000000 B

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V -

存取时间(Max) - - 70 ns

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.75 V

长度 53.34 mm - 52.96 mm

宽度 18.8 mm - 18.42 mm

高度 10.29 mm - 9.4 mm

封装 DIP-36 DIP-36 DIP-36

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 Contains Lead

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