对比图
型号 IXFN26N90 IXFN27N80 STE26NA90
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN26N90 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26 A, 900 V, 300 mohm, 10 V, 5 VSOT-227B N-CH 800V 27AN - CHANNEL 900V - 0.25ohm- 26A - ISOTOP快速功率MOSFET N - CHANNEL 900V - 0.25ohm- 26A - ISOTOP FAST POWER MOSFET
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Surface Mount Screw
引脚数 3 - -
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOTOP
额定电压(DC) 900 V 800 V 900 V
额定电流 26.0 A 27.0 A 26.0 A
针脚数 3 - -
漏源极电阻 300 mΩ 300 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 600 W 520 W 450W (Tc)
阈值电压 5 V - -
漏源极电压(Vds) 900 V 800 V 900 V
连续漏极电流(Ids) 26.0 A 27.0 A 26.0 A
上升时间 35 ns 80.0 ns 52.0 ns
隔离电压 2.50 kV - -
输入电容(Ciss) 10800pF @25V(Vds) 9740pF @25V(Vds) 1770pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 600 W 520 W -
下降时间 24 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 600W (Tc) 520W (Tc) 450W (Tc)
额定功率 - 520 W -
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOTOP
重量 44.0 g - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 - EAR99 -