对比图
描述 ON SEMICONDUCTOR MJE200G 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 65 MHz, 15 W, 5 A, 10 hFE 新MJE200 Series 25V 5A 15W SMT NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-126NTE ELECTRONICS NTE184 双极性功率晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) NTE Electronics
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126
频率 65 MHz 65 MHz 2 MHz
额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V -
额定电流 5.00 A 5.00 A -
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 15 W 15 W 40 W
增益频宽积 65 MHz 65 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 25 V 80.0 V
集电极最大允许电流 5A 5A 4A
最小电流放大倍数(hFE) 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V -
最大电流放大倍数(hFE) - 180 -
额定功率(Max) 15 W 15 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 15000 mW 15000 mW 40000 mW
针脚数 3 - 3
热阻 8.34℃/W (RθJC) - -
直流电流增益(hFE) 10 - 80
长度 7.8 mm 8 mm -
宽度 2.66 mm 3.25 mm -
高度 11.04 mm 11.2 mm -
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Design
包装方式 Bulk Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
HTS代码 - - 85412900951